|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii [et.al.] by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Bonchyk, A. Yu | Fitsych, Olena I | Savytskyy, Hrygory V | Świątek, Zbigniew. Source: Russian physics journalMaterial type:  Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek [et al.] by Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Y | Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Fitsych, Olena I | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V. Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
14.
|
Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov [et al.] by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V. Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
15.
|
|
|
|
16.
|
|
|
|
17.
|
|
|
|
18.
|
|
|
|
19.
|
|
|
|
20.
|
|
|
|
21.
|
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
|
|
|
24.
|
|
|
|
25.
|
Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др. by Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Свентек, Збигнев | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Фицич, Елена Ивановна. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
|
|
|
29.
|
Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др. by Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
30.
|
Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
31.
|
|
|
|
32.
|
|
|
|
33.
|
Formation of SnO and SnO2 phases during the annealing of SnO(x) films obtained by molecular beam epitaxy A. I. Nikiforov, V. F. Timofeev, V. I. Mashanov [et al.] by Timofeev, Vyacheslav F | Mashanov, Vladimir I | Azarov, Ivan A | Loshkarev, Ivan D | Volodin, Vladimir A | Gulyaev, Dmitry V | Chetyrin, Igor A | Korolkov, Ilya V | Nikiforov, Alexander I. Source: Applied surface scienceMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
34.
|
|
|
|
35.
|
|
|
|
36.
|
Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovsky, A. G. Korotaev [et.al.] by Izhnin, Igor I | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Mynbaev, Karim D | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Voytsekhovskiy, Alexander V | Yakushev, Maxim V | Jakiela, Rafal. Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
37.
|
|
|
|
38.
|
|
|
|
39.
|
|
|
|
40.
|
|
|
|
41.
|
|
|
|
42.
|
Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions V. A. Timofeev, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov [et.al.] by Timofeev, V. A | Nikiforov, Alexander I | Mashanov, Vladimir I | Tuktamyshev, Artur R | Loshkarev, Ivan D | Kokhanenko, Andrey P | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
43.
|
|
|
|
44.
|
|
|
|
45.
|
|
|
|
46.
|
|
|
|
47.
|
|
|
|
48.
|
|
|
|
49.
|
Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. A. Fadeev [et al.] by Rumyantsev, Vladimir V | Razova, Anna A | Fadeev, Mikhail A | Utochkin, Vladimir V | Mikhailov, Nikolay N | Dvoretsky, Sergei A | Gavrilenko, Vladimir I | Morozov, Sergey V. Source: Optical engineeringMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
50.
|
Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V. Source: Journal of electronic materialsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
