Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 16 results.

    1.
    No cover image available
    Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Crystal growth and designMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii

    by Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy E. A. Kalin, V. G. Satdarov, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko

    by Kalin, Eugeniy A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii

    by Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voytsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Physical chemistry chemical physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, V. G. Satdarov

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: International Journal of NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters V. G. Satdarov, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko и др.

    by Satdarov, Vadim G | Kokhanenko, Andrey P | Kalin, Eugeniy A | Nikiforov, Alexander I | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko и др.

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Kalin, Eugeniy A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    11.
    No cover image available
    Two-dimensional materials of group IVA: Latest advances in epitaxial methods of growth K. A. Lozovoy, V. V. Dirko, V. P. Vinarskiy [et al.]

    by Lozovoy, Kirill A | Dirko, Vladimir V | Vinarskiy, Vladimir P | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Akimenko, Nataliya Yu.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    12.
    No cover image available
    Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy V. G. Satdarov, A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy

    by Satdarov, Vadim G | Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: International Journal of NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    13.
    No cover image available
    Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface V. V. Dirko, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko [et al.]

    by Dirko, Vladimir V | Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Kukenov, Olzhas I | Korotaev, Alexander G | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: NanomaterialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    14.
    No cover image available
    Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, N. Yu. Akimenko [et al.]

    by Kokhanenko, Andrey P | Akimenko, Nataliya Yu | Dirko, Vladimir V | Voytsekhovskiy, Alexander V | Lozovoy, Kirill A.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    15.
    No cover image available
    Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    16.
    No cover image available
    Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials I. I. Izhnin, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko [et al.]

    by Izhnin, Igor I | Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Khomyakova, Kristina I | Douhan, Rahaf M. H | Dirko, Vladimir V | Voytsekhovskiy, Alexander V | Fitsych, Olena I | Akimenko, Nataliya Yu.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart