Электролюминесценция галогеновых комплексов с одновалентной медью: ОСИД-устройства и DFT-моделирование Р. Р. Валиев, Б. Ф. Минаев, Р. М. Гадиров и др.
Material type: ArticleSubject(s): электролюминесценция | галогены | медь | DFT-моделирование | вольт-амперные характеристикиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 9. С. 3-8Abstract: Изучены спектроскопические характеристики синтезированных комплексов Cu[I] с галогенами с использованием метода TDDFT/CAM-B3LYP. Показано, что электронные переходы S0→S1 и S0→T1 являются переходами с переносом заряда. При этом электронные переходы происходят с HOMO, HOMO-1 и HOMO-2, локализированных на атомах галогенов на LUMO, локализированную на лиганде. Вычислены матричные элементы спинорбитального взаимодействия с использованием одноэлектронного оператора (HSO). На основе данных соединений созданы органические светоизлучающие диоды. Изучены их вольт-амперные и вольт-яркостные характеристики.Библиогр.: 26 назв.
Изучены спектроскопические характеристики синтезированных комплексов Cu[I] с галогенами с использованием метода TDDFT/CAM-B3LYP. Показано, что электронные переходы S0→S1 и S0→T1 являются переходами с переносом заряда. При этом электронные переходы происходят с HOMO, HOMO-1 и HOMO-2, локализированных на атомах галогенов на LUMO, локализированную на лиганде. Вычислены матричные элементы спинорбитального взаимодействия с использованием одноэлектронного оператора (HSO). На основе данных соединений созданы органические светоизлучающие диоды. Изучены их вольт-амперные и вольт-яркостные характеристики.
There are no comments on this title.