Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe Р. А. Редькин, Д. А. Кобцев, С. А. Березная [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): селенид галлия | селенид индия | нанослои | квазидвумерные полупроводники | химическое осаждение из газовой фазы | морфология поверхности | кремниевые подложкиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 9. С. 50-54Abstract: Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определены толщины получаемых нанослоев InSe и GaSe, а также их временная стабильность. Установлено соответствие спектрального положения пиков комбинационного рассеяния положению пиков, известных для объемных и наноразмерных образцов InSe и GaSe.
Библиогр.: 16 назв.
Ограниченный доступ
Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определены толщины получаемых нанослоев InSe и GaSe, а также их временная стабильность. Установлено соответствие спектрального положения пиков комбинационного рассеяния положению пиков, известных для объемных и наноразмерных образцов InSe и GaSe.
There are no comments on this title.