Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'an:"83626"'

1.

No cover image available

О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии Ю. Ю. Эрвье

by Эрвье, Юрий Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

2.

No cover image available

Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин

by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

3.

No cover image available

Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин

by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

4.

No cover image available

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный

by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

5.

No cover image available

Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-островков и нитевидных нанокристаллов С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье

by Филимонов, Сергей Николаевич | Эрвье, Юрий Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

6.

No cover image available

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин

by Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

7.

No cover image available

Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.]

Source: Surface scienceMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

8.

No cover image available

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

9.

No cover image available

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

10.

No cover image available

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан и др.

by Горлачук, Павел Владимирович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Брудный, Валентин Натанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

11.

No cover image available

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

12.

No cover image available

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

Scientific Library of Tomsk State University

E-catalog

Refine your search

Availability

Bibliographic level

Authors

Topics

База знаний по целевым капиталам

Your search returned 12 results.

	1.	No cover image available О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии Ю. Ю. Эрвье by Эрвье, Юрий Юрьевич \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 \| Вилисова, Мария Дмитриевна \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-островков и нитевидных нанокристаллов С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье by Филимонов, Сергей Николаевич \| Эрвье, Юрий Юрьевич \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин by Новиков, Вадим Александрович \| Преображенский, Валерий Владимирович \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.] by Yamazaki, Tatsuya \| Yamaguchi, Kenji \| Shamoto, Shin-ichi \| Filimonov, Sergey N \| Suemitsu, Maki \| Asaoka, Hidehito \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Surface scienceMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	No cover image available Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др. by Коханенко, Андрей Павлович \| Пчеляков, Олег Петрович \| Лошкарев, Иван Дмитриевич \| Селезнев, Владимир Александрович \| Путято, Михаил Альбертович \| Семягин, Борис Рэмович \| Преображенский, Валерий Владимирович \| Zhicuan, Niu \| Haiqiao, Ni \| Емельянов, Евгений Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	9.	No cover image available Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др. by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич \| Тийс, Сергей Александрович \| Гутаковский, Антон Константинович \| Пчеляков, Олег Петрович \| Якимов, Андрей Иннокентьевич \| Никифоров, Александр Иванович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	10.	No cover image available Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан и др. by Горлачук, Павел Владимирович \| Рябоштан, Юрий Леонидович \| Брудный, Валентин Натанович \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Романов, Иван Сергеевич \| Лелеков, Михаил Александрович \| Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	11.	No cover image available Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Kokhanenko, Andrey P \| Satdarov, Vadim G \| Pchelyakov, Oleg P \| Nikiforov, Alexander I \| Lozovoy, Kirill A \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	12.	No cover image available Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др. by Емельянов, Евгений Александрович \| Абрамкин, Демид Суад \| Пчеляков, Олег Петрович \| Путято, Михаил Альбертович \| Семягин, Борис Рэмович \| Преображенский, Валерий Владимирович \| Василенко, Антон Павлович \| Феклин, Дмитрий Федорович \| Zhicuan, Niu \| Коханенко, Андрей Павлович \| Haiqiao, Ni \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)