Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 4 results.

    1.
    Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films D. V. Grigoryev, V. A. Novikov, D. A. Bezrodnyy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Bezrodnyy, Dmitriy A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Novikov, Vadim A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : AbstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др.

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, Анатолий Васильевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Н. Б | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

    by Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :