Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'an:"83626"'

Search

Your search returned 6 results.

	1.	No cover image available Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин by Веревкин, Сергей Сергеевич \| Колин, Николай Георгиевич \| Корулин, Алексей Викторович \| Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин by Новиков, Вадим Александрович \| Преображенский, Валерий Владимирович \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов by Прудаев, Илья Анатольевич \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Толбанов, Олег Петрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др. by Веревкин, Сергей Сергеевич \| Говорков, Анатолий Васильевич \| Ермаков, В. С \| Колин, Николай Георгиевич \| Корулин, Алексей Викторович \| Поляков, Александр Яковлевич \| Смирнов, Н. Б \| Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. N. Brudnyi by Prudaev, Ilya A \| Romanov, I. S \| Brudnyi, Valentin N \| Kopyev, Viktor V \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)