Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 6 results.

    1.
    Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.]

    by Yamazaki, Tatsuya | Yamaguchi, Kenji | Shamoto, Shin-ichi | Filimonov, Sergey N | Suemitsu, Maki | Asaoka, Hidehito | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин

    by Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Тийс, Сергей Александрович | Гутаковский, Антон Константинович | Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Никифоров, Александр Иванович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

    by Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др.

    by Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :