Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'an:"83626"'

Search

Your search returned 5 results.

	1.	No cover image available Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий by Брудный, Валентин Натанович \| Кособуцкий, Алексей Владимирович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Журнал экспериментальной и теоретической физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий by Брудный, Валентин Натанович \| Саркисов, Сергей Юрьевич \| Кособуцкий, Алексей Владимирович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)