Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'an:"83626"'

1.

Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam K. Afanaciev, M. Bergholz, D. Mokeev [et.al.]

Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

2.

No cover image available

Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Неорганические материалыMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

3.

No cover image available

Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, И. А. Прудаев и др.

by Новиков, Владимир Александрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна | Будницкий, Давыд Львович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

4.

No cover image available

Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов

by Новиков, Владимир Александрович | Пристай, Ольга Михайловна | Толбанов, Олег Петрович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

5.

No cover image available

Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

6.

No cover image available

Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин

by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

7.

No cover image available

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков и др.

by Ли Цзень Фень | Салтымаков, Максим Сергеевич | Гусельников, Виктор Иванович | Макеев, Вячеслав Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 | Юрченко, Василий Иванович | Ремнев, Геннадий Ефимович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра радиоэлектроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

8.

No cover image available

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

9.

No cover image available

Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

by Брудный, Валентин Натанович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Электронная промышленностьMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

10.

No cover image available

Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин

by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

Scientific Library of Tomsk State University

E-catalog

Refine your search

Availability

Bibliographic level

Authors

Topics

База знаний по целевым капиталам

Your search returned 10 results.

	1.	No cover image available Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam K. Afanaciev, M. Bergholz, D. Mokeev [et.al.] by Bergholz, M \| Mokeev, D \| Novikov, Vladimir A \| Bernitt, P \| Tolbanov, Oleg P \| Tyazhev, Anton V \| Afanaciev, K \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др. by Хлудков, Станислав Степанович \| Гутаковский, Антон Константинович \| Новиков, Владимир Александрович \| Толбанов, Олег Петрович \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Неорганические материалыMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, И. А. Прудаев и др. by Новиков, Владимир Александрович \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Толбанов, Олег Петрович \| Яскевич, Тамара Михайловна \| Будницкий, Давыд Львович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов by Новиков, Владимир Александрович \| Пристай, Ольга Михайловна \| Толбанов, Олег Петрович \| Мокеев, Дмитрий Юрьевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов by Мокеев, Дмитрий Юрьевич \| Новиков, Владимир Александрович \| Толбанов, Олег Петрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 \| Вилисова, Мария Дмитриевна \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков и др. by Ли Цзень Фень \| Салтымаков, Максим Сергеевич \| Гусельников, Виктор Иванович \| Макеев, Вячеслав Анатольевич \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 \| Юрченко, Василий Иванович \| Ремнев, Геннадий Ефимович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра радиоэлектроники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	No cover image available Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др. by Коханенко, Андрей Павлович \| Пчеляков, Олег Петрович \| Лошкарев, Иван Дмитриевич \| Селезнев, Владимир Александрович \| Путято, Михаил Альбертович \| Семягин, Борис Рэмович \| Преображенский, Валерий Владимирович \| Zhicuan, Niu \| Haiqiao, Ni \| Емельянов, Евгений Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	9.	No cover image available Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов by Брудный, Валентин Натанович \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Толбанов, Олег Петрович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Электронная промышленностьMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	10.	No cover image available Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 \| Ивонин, Иван Варфоломеевич \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)