Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин
Material type:
ArticleSubject(s): Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | эпитаксия полупроводников | монокристаллы, выращивание | автоэпитаксия полупроводников | гомоэпитаксия полупроводников | гетероэпитаксия полупроводников | подложки | эпитаксиальные технологии | эпитаксия молекулярно-лучевая | эпитаксия газофазовая | эпитаксия жидкофазовая | арсенид галлия, эпитаксия | германий, эпитаксия | рост кристаллов GaAs, анизотропия | легирование GaAs | физика роста кристаллов | термодинамика транспортных реакций | гетеропереходы | комплексообразование GaAs, модель | полупроводники тройные, синтез | физика поверхностей полупроводников | сверхпроводниковые аномалии в LT-GaAs | кристаллическая решетка LT-GaAs | физика поверхностей, моделирование | наноразмерные структуры | труды ученых ТГУGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online Получено из издательства
In:
Вестник Томского государственного университета № 285 : Серия "Физика". С. 17-23
Библиогр.: 64
Получено из издательства
Систем. требования:: Adobe Acrobat Reader 5.0 или выше.
" ...пользование допускается без согласия автора или иного правообладателя и без выплаты вознаграждения. При этом выраженные в цифровой форме экземпляры произведений, предоставляемые библиотеками во временное безвозмездное пользование … могут предоставляться только в помещениях библиотек при условии исключения возможности создать копии этих произведений в цифровой форме" (Гражданский кодекс РФ, ч. 4).
There are no comments on this title.