Normal view
MARC view
Теоретическое исследование кинетики послойного роста кристаллов полупроводников из многокомпонентной газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Эрвье Юрий Юрьевич ; науч. рук.: Лаврентьева Л. Г., Рузайкин М. П. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1989Description: 160 л. илSubject(s): физика твердого тела | диссертации | рост кристаллов полупроводников послойный | рост кристаллов полупроводников в газовой фазе | кристаллы многокомпонентные | Косселя кристалл с примесью | кристаллы однокомпонентные | стехиометрия кристаллов | кремний, рост кристаллов | арсенид галлия, рост кристаллов | кристаллизация, кинетические коэффициенты | кристаллы бинарные, кинетика захвата примеси | примеси в кристаллах бинарных | дефекты кристаллов | скорость роста кристаллов бинарных | легирование кристаллов полупроводников | химическая кинетика, формализм | модель марковского процесса необратимого встраивания частиц в излом (рост кристаллов)
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-699034к (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000719671 |
Библиогр.: л. 149 - 160
There are no comments on this title.