Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 3 results.

    1.
    Профили распределения радиационных дефектов в КРТ при ионной имплантации Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ М. Ф. Филатов, Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Филатов, Михаил Федорович | Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :