Normal view
MARC view
Электрофизические и фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ, после высокоэнергетического воздействия электронов и гамма-квантов Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев, М. Ф. Филатов
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | физика диэлектриков | труды ученых ТГУ | эпитаксиальные пленки | электрофизические параметры | фотоэлектрические параметры | радиационная стойкость | высокоэнергетические воздействия | облучение электронами | облучение гамма-квантами In: Современные проблемы физики и технологии : сборник статей молодых ученых С. 58-60No physical items for this record
There are no comments on this title.