|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
5.
|
Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
6.
|
Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi [et.al.] by Romanov, I. S | Brudnyi, Valentin N | Kopyev, Viktor V | Novikov, Vadim A | Marmalyuk, A. A | Kureshov, V. A | Sabitov, D. R | Mazalov, A. V | Prudaev, Ilya A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|