|
1.
|
Background donor concentration in HgCdTe I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A | Mynbaev, Karim D | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
2.
|
Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Vasilev, Vladimir V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
3.
|
Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др. by Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
4.
|
|