|
1.
|
Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, S. N. Nesmelov [et.al.] by Izhnin, Igor I | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Fitsych, Olena I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015Material type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
2.
|
|
|
3.
|
Background donor concentration in HgCdTe I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A | Mynbaev, Karim D | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
4.
|
Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic I. I. Izhnin, S. A. Dvoretsky, K. D. Mynbaev [et.al.] by Dvoretsky, Sergei A | Mynbaev, Karim D | Fitsych, Olena I | Mikhailov, Nikolay N | Varavin, Vasilii S | Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V | Sheregii, E | Izhnin, Igor I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Journal of applied physicsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
5.
|
Background donor concentration in HgCdTe M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] by Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Mynbaev, Karim D | Izhnin, Igor I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
6.
|
Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. D. Mynbaev [et.al.] by Izhnin, A. I | Mynbaev, Karim D | Bazhenov, N. L | Shilyaev, A. V | Mikhailov, Nikolay N | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Fitsych, Olena I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Izhnin, Igor I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|