Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др.

Contributor(s): Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический университет Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФMaterial type: ArticleArticleSubject(s): наногетероструктуры | квантовые точки | кремний | германий | солнечные элементы | фотопреобразователи | фотоэлектрические характеристикиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Нано- и микросистемная техника № 3. С. 31-41Abstract: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств материалов на основе Si/Ge с квантовыми точками Ge. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции, электролюминесценции структур данного типа, спектров фотопроводимости, рассмотрено явление отрицательной фотопроводимости.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 21 назв.

Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств материалов на основе Si/Ge с квантовыми точками Ge. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции, электролюминесценции структур данного типа, спектров фотопроводимости, рассмотрено явление отрицательной фотопроводимости.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share