Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT А. Г. Афонин, В. Н. Брудный, П. А. Брудный, Л. Э. Великовский

Contributor(s): Брудный, Валентин Натанович | Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Афонин, Антон ГеннадьевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): транзисторы с высокой подвижностью электронов | радиационная стойкость | уровень зарядовой нейтральностиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 9. С. 106-112Abstract: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 56 назв.

Ограниченный доступ

Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share