Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

Contributor(s): Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводниковMaterial type: ArticleArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | квантовые ямы | морфология | эпитаксиальные пленки | рентгеновская дифрактометрия | фотолюминесценцияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 3. С. 68-72
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 11 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share