Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3.5–5 мкм при накачке излучением Ho:YAG-лазера Н. Н. Юдин, Д. В. Власов, О. Л. Антипов [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): экспериментальные исследования | параметрические генераторы света | нелинейные оптические кристаллы | оптические пробоиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 12. С. 80-86Abstract: Проведены исследования энергетических характеристик и результатов визуализации процессов, происходящих в объеме кристалла при помощи цифровой голографической камеры, установлено, что при увеличении плотности энергии излучения накачки свыше 1 Дж/см2 наблюдается прекращение роста КПД параметрической генерации и потемнение канала распространения лазерного излучения в объеме кристалла. Показано, что при плотности энергии выше 1 Дж/см2 наблюдается уменьшение пропускания лазерного излучения.
Библиогр.: 21 назв.
Ограниченный доступ
Проведены исследования энергетических характеристик и результатов визуализации процессов, происходящих в объеме кристалла при помощи цифровой голографической камеры, установлено, что при увеличении плотности энергии излучения накачки свыше 1 Дж/см2 наблюдается прекращение роста КПД параметрической генерации и потемнение канала распространения лазерного излучения в объеме кристалла. Показано, что при плотности энергии выше 1 Дж/см2 наблюдается уменьшение пропускания лазерного излучения.
There are no comments on this title.