Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция А. И. Грибенюков, С. Н. Подзывалов, А. Н. Солдатов [и др.]

Contributor(s): Подзывалов, Сергей Николаевич | Солдатов, Анатолий Николаевич | Шумейко, Алексей Семенович | Юдин, Николай Александрович | Юдин, Николай Николаевич | Юрин, Владимир Юрьевич | Грибенюков, Александр ИвановичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): лазеры на самоограниченных переходах | дефектоскопы | монокристаллыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Квантовая электроника Т. 48, № 5. С. 491-494Abstract: Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share