Normal view
MARC view
Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe:Te С. Ю. Саркисов, В. В. Атучин, Т. А. Гаврилова [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): выращивание кристаллов | эллипсометрия | селенид галлия | спектры поглощения | электронная микроскопияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 21-26Abstract: Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe:Te методом Бриджмена – Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с помощью эллипсометрии. Экспериментальные данные аппроксимированы в рамках модели Лоренца – Друде.
No physical items for this record
Библиогр.: 15 назв.
Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe:Te методом Бриджмена – Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с помощью эллипсометрии. Экспериментальные данные аппроксимированы в рамках модели Лоренца – Друде.
There are no comments on this title.