Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'an:"114451"'

1.

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов Л. К. Шаймерденова

by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article

Article; Format: electronic available online remote

; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :

2.

No cover image available

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, Ю. Л. Зубрилкина, А. А. Бактыбаев, И. С. Романов

by Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

3.

No cover image available

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев

by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :

4.

No cover image available

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия А. Д. Зенкова

by Зенкова, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article

Article; Format: electronic available online remote

; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :

5.

No cover image available

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации И. Д. Щербаков

by Щербаков, Иван Дмитриевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article

Article; Format: electronic available online remote

; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :

6.

No cover image available

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме А. Г. Быков, Д. В. Лосев, Д. С. Бардашов

by Быков, Александр Геннадьевич | Лосев, Дмитрий Витальевич | Бардашов, Дмитрий Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра радиофизики.

Source: Электроника и микроэлектроника СВЧ : сборник статей IV Всероссийской научно-технической конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 1-4 июня 2015Material type: Article

Article; Format: electronic available online remote

; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :

7.

No cover image available

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом И. Д. Щербаков, А. Д. Лозинская

by Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :

8.

No cover image available

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, С. Б. Ширапов и др.

by Голыгин, Илья Юрьевич | Ширапов, Сергей Баирович | Романов, Иван Сергеевич | Хлудков, Станислав Степанович | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

9.

No cover image available

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др.

by Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

10.

No cover image available

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия А. Н. Зарубин,А. Д. Лозинская, Д. Ю. Мокеев и др.

by Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article

Article; Format: electronic available online remote

Online access: Click here to access online Availability: No items available :

Scientific Library of Tomsk State University

E-catalog

Refine your search

Availability

Bibliographic level

Authors

Topics

База знаний по целевым капиталам

Your search returned 10 results.

	1.	No cover image available Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов Л. К. Шаймерденова by Шаймерденова, Лейла Калитаевна \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, Ю. Л. Зубрилкина, А. А. Бактыбаев, И. С. Романов by Прудаев, Илья Анатольевич \| Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы \| Романов, Иван Сергеевич \| Зубрилкина, Юлия Леонидовна \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев by Шаймерденова, Лейла Калитаевна \| Тяжев, Антон Владимирович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ. Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия А. Д. Зенкова by Зенкова, Анастасия Дмитриевна \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации И. Д. Щербаков by Щербаков, Иван Дмитриевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме А. Г. Быков, Д. В. Лосев, Д. С. Бардашов by Быков, Александр Геннадьевич \| Лосев, Дмитрий Витальевич \| Бардашов, Дмитрий Сергеевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра радиофизики. Source: Электроника и микроэлектроника СВЧ : сборник статей IV Всероссийской научно-технической конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 1-4 июня 2015Material type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом И. Д. Щербаков, А. Д. Лозинская by Щербаков, Иван Дмитриевич \| Лозинская, Анастасия Дмитриевна \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники. Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	No cover image available Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, С. Б. Ширапов и др. by Голыгин, Илья Юрьевич \| Ширапов, Сергей Баирович \| Романов, Иван Сергеевич \| Хлудков, Станислав Степанович \| Толбанов, Олег Петрович \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	9.	No cover image available Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др. by Голыгин, Илья Юрьевич \| Новиков, Вадим Александрович \| Данюк, Денис Борисович \| Скакунов, Максим Сергеевич \| Толбанов, Олег Петрович \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	10.	No cover image available Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия А. Н. Зарубин,А. Д. Лозинская, Д. Ю. Мокеев и др. by Лозинская, Анастасия Дмитриевна \| Мокеев, Дмитрий Юрьевич \| Толбанов, Олег Петрович \| Тяжев, Антон Владимирович \| Зарубин, Андрей Николаевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)