Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др. by Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.
Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: 
Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
