Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 12 results.

    1.
    Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions V. V. Kopyev, I. A. Prudaev, I. S. Romanov

    by Kopyev, Viktor V | Prudaev, Ilya A | Romanov, I. S | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов В. Л. Олейник, И. А. Прудаев, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, Ю. Л. Зубрилкина, А. А. Бактыбаев, И. С. Романов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation I. Prudaev, S. Sarkisov, O. Tolbanov, A. Kosobutsky

    by Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Kosobutsky, Alexey V | Sarkisov, Sergey Yu | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physica status solidi BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность И. С. Романов, И. А. Прудаев, А. А. Мармалюк и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Олейник, Владимир Леонидович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P И. А. Прудаев, М. С. Скакунов, М. А. Лелеков и др.

    by Скакунов, Максим Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке И. А. Прудаев, И. С. Романов, Вад. А. Новиков и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Исследование распределения электрического поля в светодиодах из AlGaInP методом зонда Кельвина В. Л. Олейник, И. А. Прудаев, Вад. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др.

    by Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :