Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др.

Contributor(s): Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИMaterial type: ArticleArticleSubject(s): светодиоды | нитрид галлия | вольт-амперные характеристики | вольт-фарадные характеристики | рекомбинация | монополярная инжекцияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 7 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share