|
|
1.
|
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type:  Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
7.
|
Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др. by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
8.
|
Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. by Дзядух, Станислав Михайлович | Несмелов, Сергей Николаевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
9.
|
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич физик | Якушев, Максим Витальевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
10.
|
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 В. А. Новиков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Черников, Евгений Викторович | Калыгина, Вера Михайловна | Новиков, Вадим Александрович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
11.
|
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
14.
|
|
|
|
15.
|
Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
16.
|
|
|
|
17.
|
Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
18.
|
Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
19.
|
Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова и др. by Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
20.
|
|
|
|
21.
|
|
|
|
22.
|
Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
23.
|
|
|
|
24.
|
Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
|
|
|
29.
|
|
