Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for '0026-80960'

Your search returned 89 results.

	1.	No cover image available Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн by Войцеховский, Александр Васильевич \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения А. В. Войцеховский, Д. И. Горн by Войцеховский, Александр Васильевич \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн by Войцеховский, Александр Васильевич \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов. by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe А. В. Войцеховский,Н. Х. Талипов by Войцеховский, Александр Васильевич \| Талипов, Нияз Хатимович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов by Войцеховский, Александр Васильевич \| Талипов, Нияз Хатимович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн by Войцеховский, Александр Васильевич \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	No cover image available Информационное и спектроскопическое обеспечение лазерного анализа высокотемпературных газовых смесей А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, Д. Е. Каширский by Войцеховский, Александр Васильевич \| Войцеховская, Ольга Кузьминична \| Каширский, Данила Евгеньевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	9.	No cover image available Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками А. В. Войцеховский, М. Ю. Леонов, С. А. Шульга by Войцеховский, Александр Васильевич \| Леонов, Михаил Юрьевич \| Шульга, Сергей Анатольевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	10.	No cover image available Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, И. В. Романов by Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Романов, Илья Владимирович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	11.	No cover image available Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. А. Скрыльников by Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Скрыльников, Александр Аркадьевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	12.	No cover image available Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский by Коханенко, Андрей Павлович \| Лозовой, Кирилл Александрович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	13.	No cover image available Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	14.	No cover image available Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев by Талипов, Нияз Хатимович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Григорьев, Денис Валерьевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	15.	No cover image available Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	16.	No cover image available Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов by Дзядух, Станислав Михайлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	17.	No cover image available Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	18.	No cover image available Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов by Войцеховский, Александр Васильевич \| Никитин, Михаил Степанович \| Талипов, Нияз Хатимович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	19.	No cover image available Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский by Исмайлов, Намик Джамиль оглы \| Талипов, Нияз Хатимович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	20.	No cover image available Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух by Несмелов, Сергей Николаевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	21.	No cover image available Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский by Лозовой, Кирилл Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	22.	No cover image available Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой by Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Лозовой, Кирилл Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	23.	No cover image available Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов by Дзядух, Станислав Михайлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	24.	No cover image available Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух by Несмелов, Сергей Николаевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Concentration of majority charge carriers in the near-surface graded-gap layer of MBE n(p)-HgCdTe determined from capacitance measurement.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	25.	No cover image available Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух by Несмелов, Сергей Николаевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	26.	No cover image available Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	27.	No cover image available Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский by Лозовой, Кирилл Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	28.	No cover image available Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский by Лозовой, Кирилл Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	29.	No cover image available Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик А. В. Барко, А. В. Войцеховский, А. Г. Левашкин, А. П. Коханенко by Барко, Алексей Владимирович \| Левашкин, Андрей Геньевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Факультет инновационных технологий Кафедра управления инновациями \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	30.	No cover image available Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, В. Г. Сатдаров by Коханенко, Андрей Павлович \| Лозовой, Кирилл Александрович \| Сатдаров, Вадим Газизович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	31.	No cover image available Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, М. В. Сахаров, Н. Х. Талипов by Войцеховский, Александр Васильевич \| Сахаров, Михаил Викторович \| Талипов, Нияз Хатимович \| Средин, Виктор Геннадиевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	32.	No cover image available Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus» А. А. Пищагин, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, В. Г. Сатдаров by Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Сатдаров, Вадим Газизович \| Пищагин, Антон Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	33.	No cover image available Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин, А. И. Ижнин by Войцеховский, Александр Васильевич \| Ижнин, Игорь Иванович \| Ижнин, Александр Иванович \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	34.	No cover image available Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев by Ижнин, Игорь Иванович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Коротаев, Александр Григорьевич \| Мынбаев, Карим Джафарович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	35.	No cover image available Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, В. Г. Сатдаров by Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Сатдаров, Вадим Газизович \| Лозовой, Кирилл Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	36.	No cover image available Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух, Д. И. Горн by Войцеховский, Александр Васильевич \| Григорьев, Денис Валерьевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Горн, Дмитрий Игоревич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Simulation and optimization of layer parameters of unipolaral nBn structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR detection.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	37.	No cover image available Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов by Войцеховский, Александр Васильевич \| Шульга, Сергей Анатольевич \| Средин, Виктор Геннадиевич \| Талипов, Нияз Хатимович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	38.	No cover image available Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, К. Д. Мынбаев by Ижнин, Игорь Иванович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Коротаев, Александр Григорьевич \| Мынбаев, Карим Джафарович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	39.	No cover image available Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. by Григорьев, Денис Валерьевич \| Коротаев, Александр Григорьевич \| Тарасенко, Виктор Федотович \| Шулепов, Михаил Александрович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	40.	No cover image available Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии А. А. Пищагин, К. А. Лозовой, А. П. Коханенко и др. by Пищагин, Антон Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Никифоров, Александр Иванович \| Лозовой, Кирилл Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	41.	No cover image available Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов, В. Г. Средин, С. А. Шульга by Талипов, Нияз Хатимович \| Средин, Виктор Геннадиевич \| Шульга, Сергей Анатольевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Факультет прикладной математики и кибернетики Кафедра защиты информации и криптографии. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	42.	No cover image available Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, Н. Ю. Акименко [и др.] by Коханенко, Андрей Павлович \| Акименко, Наталья Юрьевна \| Дирко, Владимир Владиславович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Лозовой, Кирилл Александрович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	43.	No cover image available Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Копылова, Татьяна Николаевна \| Дегтяренко, Константин Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	44.	No cover image available Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Ижнин, Игорь Иванович \| Савицкий, Григорий Владимирович \| Бончик, Александр Юрьевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	45.	No cover image available Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS И. В. Романов, А. В. Войцеховский, К. М. Дегтяренко и др. by Романов, Илья Владимирович \| Дегтяренко, Константин Михайлович \| Копылова, Татьяна Николаевна \| Коханенко, Андрей Павлович \| Никонова, Елена Николаевна \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	46.	No cover image available Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Григорьев, Денис Валерьевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Дворецкий, Сергей Алексеевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Numerical simulation of unipolar photo-sensitive barrier structures based on MBE n-HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	47.	No cover image available Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Григорьев, Денис Валерьевич \| Тарасенко, Виктор Федотович \| Шулепов, Михаил Александрович \| Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	48.	No cover image available Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза К. А. Лозовой, В. В. Дирко, В. П. Винарский [и др.] by Лозовой, Кирилл Александрович \| Дирко, Владимир Владиславович \| Винарский, Владимир Петрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Акименко, Наталья Юрьевна. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	49.	No cover image available Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии А. В. Войцеховский, В. Г. Сатдаров, А. П. Коханенко и др by Сатдаров, Вадим Газизович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Калин, Евгений Андреевич \| Никифоров, Александр Иванович \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	50.	No cover image available Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Копылова, Татьяна Николаевна \| Дегтяренко, Константин Михайлович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)

Scientific Library of Tomsk State University

E-catalog

Refine your search

Availability

Bibliographic level

Authors

Topics

База знаний по целевым капиталам

Your search returned 89 results.