Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 18 results.

    1.
    Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами Н В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 К. С. Титов, В. Н. Брудный

    by Титов, Константин Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич | Колин, Николай Георгиевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный

    by Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский

    by Брудный, Валентин Натанович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT А. Г. Афонин, В. Н. Брудный, П. А. Брудный, Л. Э. Великовский

    by Брудный, Валентин Натанович | Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Афонин, Антон Геннадьевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облучения С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Н. Я. Каргин

    by Кособуцкий, Алексей Владимирович | Брудный, Валентин Натанович | Каргин, Николай Яковлевич | Саркисов, Сергей Юрьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович | Сим, Павел Евгеньевич | Брудный, Павел Александрович | Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан и др.

    by Горлачук, Павел Владимирович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Брудный, Валентин Натанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :