Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for '0026-80960'

Search

Your search returned 6 results.

	1.	No cover image available Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский by Лозовой, Кирилл Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух by Несмелов, Сергей Николаевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- \| Курешов, Владимир Александрович \| Мазалов, Александр Владимирович \| Сабитов, Дамир Равильевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Романов, Иван Сергеевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- \| Курешов, Владимир Александрович \| Мазалов, Александр Владимирович \| Сабитов, Дамир Равильевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Романов, Иван Сергеевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Варавин, Василий Семенович \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Якушев, Максим Витальевич \| Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)