Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 111 results.

    1.
    Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах компьютерный практикум [А. В. Войцеховский, А. А. Скрыльников] ; Томский государственный университет, Радиофизический факультет

    by Скрыльников, Александр Аркадьевич [com] | Войцеховский, Александр Васильевич [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction Publication details: Томск Томский государственный университет 2010Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Параметры легированных сверхрешеток Методические указания Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томский гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники

    by Войцеховский, Александр Васильевич [сост.] | Шульга, Сергей Анатольевич [сост.] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск 1998Availability: No items available :
    3.
    Параметры композиционных сверхрешеток Методические указания Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томский гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники

    by Войцеховский, Александр Васильевич [сост.] | Шульга, Сергей Анатольевич [сост.] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск 1998Availability: No items available :
    4.
    О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны учебное пособие : [для студентов, изучающих радиофизику, оптотехнику, фотонику, оптоинформатику, радиотехнику] И. В. Измайлов, Б. Н. Пойзнер ; под ред. А. В. Войцеховского ; Томский гос. ун-т

    by Измайлов, Игорь Валерьевич | Пойзнер, Борис Николаевич, 1941- | Войцеховский, Александр Васильевич [edt] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2014Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200 – "Оптотехника", 200700 – "Фотоника и оптоинформатика" и 200500 – "Лазерная техника и лазерные технологии"] А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, В. П. Савчин, Н. М. Вакив ; Томский гос. ун-т

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Савчин, Владимир Петрович | Вакив, Николай Михайлович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2013Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe А. В. Войцеховский,Н. Х. Талипов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Методика расчета спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия Российской академии наук. Серия физическаяMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Высокочувствительные приемники оптического излучения А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский

    by Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Функциональная акустоэлектроника учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки 200600 "Фотоника и оптоинформатика"] А. В. Войцеховский, А. А. Скрыльников ; Том. гос. ун-т

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Скрыльников, Александр Аркадьевич | Томский государственный университет.

    Edition: Изд. 2-е, испр. и доп.Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction Publication details: Томск Издательство Томского университета 2013Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Электронная промышленностьMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    23.
    Функциональная акустоэлектроника учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200 "Оптотехника" и 200600 "Фотоника и оптоинформатика"] А. В. Войцеховский, А. А. Скрыльников ; Том. гос. ун-т

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Скрыльников, Александр Аркадьевич | Томский государственный университет.

    Series: Инновационная образовательная программаMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Томск ТМЛ-Пресс 2007Availability: No items available :
    24.
    Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства Методические указания Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники

    by Войцеховский, Александр Васильевич [сост.] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск 1998Availability: No items available :
    25.
    Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах компьютерный практикум Том. гос. ун-т, РФФ ; [сост.: А. В. Войцеховский, А. А. Скрыльников]

    by Войцеховский, Александр Васильевич [com] | Скрыльников, Александр Аркадьевич [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction Publication details: Томск [б. и.] 2010Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    26.
    27.
    Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. А. Скрыльников

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Скрыльников, Александр Аркадьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Лазерная модель творчества (от теории доминанты - к синергетике культуры) Учебное пособие Под ред. А. В. Войцеховского; Том. гос. ун-т

    by Соснин, Эдуард Анатольевич, 1971- | Пойзнер, Борис Николаевич, 1941- | Войцеховский, Александр Васильевич [edt] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск Издательство Томского университета 1997Availability: No items available :
    29.
    Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев

    by Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    Информационное и спектроскопическое обеспечение лазерного анализа высокотемпературных газовых смесей А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, Д. Е. Каширский

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Войцеховская, Ольга Кузьминична | Каширский, Данила Евгеньевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    31.
    Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, И. В. Романов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Илья Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    32.
    Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Никитин, Михаил Степанович | Талипов, Нияз Хатимович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    33.
    Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия Российской академии наук. Серия физическаяMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    36.
    Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    38.
    Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    39.
    Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    40.
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    41.
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    42.
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    44.
    Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    45.
    Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    46.
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    47.
    Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Гермогенов, Валерий Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Мокроусов, Геннадий Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Химический факультет Кафедра аналитической химии.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    48.
    49.
    Физические основы лазерной техники учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по специальностям 200201 - "Лазерная техника и лазерные технологии", 200203 - "Оптико-электронные приборы и системы"] Б. Н. Пойзнер ; под ред. А. В. Войцеховского ; Фед. агентство по образованию, Том. гос. ун-т

    by Пойзнер, Борис Николаевич, 1941- | Войцеховский, Александр Васильевич [edt] | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Series: Инновационная образовательная программаEdition: 2-е изд.Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction Publication details: Томск СКК-Пресс 2006Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    50.
    Проектирование и расчет акустоэлектронных преобразователей и фильтров на поверхностных акустических волнах методическое пособие Том. гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники ; сост. : А. В. Войцеховский, А. А. Скрыльников

    by Войцеховский, Александр Васильевич [com] | Скрыльников, Александр Аркадьевич [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Томск [б. и.] 2001Availability: No items available :