|
|
801.
|
|
|
|
802.
|
|
|
|
803.
|
Двумерная дифракционная модель электрически управляемой голографической дифракционной структуры в ФПМ-ЖК композиционном материале В. Г. Миргород, Б. Ф. Ноздреватых, С. В. Устюжанин, С. Н. Шарангович by Миргород, В. Г | Ноздреватых, Борис Федорович | Устюжанин, Сергей Владимирович | Шарангович, Сергей Николаевич. Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
804.
|
|
|
|
805.
|
|
|
|
806.
|
|
|
|
807.
|
|
|
|
808.
|
Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2 В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев by Воеводин, Валерий Георгиевич | Гриняев, Сергей Николаевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
809.
|
|
|
|
810.
|
|
|
|
811.
|
|
|
|
812.
|
|
|
|
813.
|
|
|
|
814.
|
|
|
|
815.
|
|
|
|
816.
|
|
|
|
817.
|
|
|
|
818.
|
|
|
|
819.
|
|
|
|
820.
|
|
|
|
821.
|
|
|
|
822.
|
|
|
|
823.
|
Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
824.
|
Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
825.
|
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
826.
|
|
|
|
827.
|
Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
828.
|
|
|
|
829.
|
Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Панин, Алексей Викторович | Субач, Сергей Владимирович | Хруль, М. В | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
830.
|
|
|
|
831.
|
|
|
|
832.
|
|
|
|
833.
|
Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде А. В. Голиков, В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.] by Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич | Ромась, Лариса Михайловна | Широкова, Л. С. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
834.
|
|
|
|
835.
|
|
|
|
836.
|
|
|
|
837.
|
|
|
|
838.
|
Слабоустойчивые состояния металлических систем А. И. Потекаев, В. А. Старенченко, В. В. Кулагина [и др.] ; под общ. ред. А. И. Потекаева ; Томский гос. ун-т, Том. гос. архитект. -строит. ун-т, Сиб. физико-техн. ин-т Том. гос. ун-та, Сибирский гос. мед. ун-т by Старенченко, Владимир Александрович, 1946- | Кулагина, Валентина Васильевна | Потекаев, Александр Иванович, 1951- | Томский государственный университет | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный архитектурно-строительный университет | Сибирский государственный медицинский университет (Томск). Material type:  Text; Format:
electronic
available online
 ; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Publication details: Томск Изд-во НТЛ 2012Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
839.
|
|
|
|
840.
|
|
|
|
841.
|
|
|
|
842.
|
|
|
|
843.
|
|
|
|
844.
|
|
|
|
845.
|
|
|
|
846.
|
|
|
|
847.
|
|
|
|
848.
|
Получение и исследование пленок ZnGeP2 Е. А. Малышев, Г. А. Верозубова by Малышев, T. А | Верозубова, Галина Александровна. Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
849.
|
|
|
|
850.
|
|
