Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    151.
    Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук

    by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    152.
    Детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    153.
    Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs В. В. Чалдышев

    by Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    154.
    Глубокие уровни тетраэдрических кластеров из атомов мышьяка и галлия в арсенида галлия В. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев

    by Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    155.
    Влияние времени термообработки на изменение свойств в объеме монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия М. Б. Литвинова, С. В. Шутов, И. В. Борискин

    by Литвинова, Марина Борисовна | Шутов, Станислав Викторович | Борискин, И. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    156.
    Концентрационные профили Si, имплантированного в GaAs, после радиационного отжига В. М. Ардышев, М. В. Ардышев, С. С. Хлудков

    by Ардышев, Вячеслав Михайлович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Хлудов, С. С.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    157.
    Ядерное легирование и радиационное модифицирование арсенида галлия Н. Г. Колин

    by Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    158.
    Светоизлучающие диоды. Основные технические решения. Итоги А. А. Вилисов

    by Вилисов, Анатолий Александрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    159.
    Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Потоцкий, В. С | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    160.
    Магниточувствительность субмикронных ионнолегированных слоев арсенида галлия Г. Ф. Карлова, Л. П. Умбрас

    by Карлова, Гелия Федоровна | Умбрас, Л. П.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    161.
    Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices Jun-ichi Nishizawa, Toru Kurabayashi

    by Nishizawa, Jun-ichi | Kurabayashi, Toru.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    162.
    Molecular dynamics simulation of Ga and As emission from GaAs surface N. T. Sulaymanov, F. T. Umarova, Z. M. Khakimov

    by Sulaymanov, N. T | Umarova, F. T | Khakimov, Z. M.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    163.
    Образование фазовых и структурно-примесных неоднородностей при газофазовой эпитаксии соединений AɪɪɪBv И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    164.
    Структуры на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами О. П. Толбанов, С. С. Хлудков

    by Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    165.
    Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te В. И. Дубовик, Н. А. Давлеткильдеев, В. А. Богданова, Н. А. Семиколенова

    by Дубовик, Виктор Иванович | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Богданова, Вера Александровна | Семиколенова, Надежда Александровна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    166.
    Моделирование процессов разделения и сбора заряда в GaAs детекторах с учетом эффектов захвата Г. И. Айзенштат, В. И. Кудрявцев, О. П. Тобанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Кудрявцев, В. И | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    167.
    Моделирование мезоструктуры нанокристаллов GaAs С. Д. Воторопин, М. А. Сергеев, Б. С. Семухин, А. П. Клишин

    by Воторопин, Сергей Дмитриевич | Сергеев, М. А. физик | Семухин, Борис Семенович | Клишин, Андрей Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    168.
    Двухчастотный автодинный радиолокатор на GaAs диодах Ганна в гибридно-интегральном исполнении С. Д. Воторопин

    by Воторопин, Сергей Дмитриевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    169.
    Естественное старение генераторных диодов Ганна Л. Г. Шаповал

    by Шаповал, Леонид Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    170.
    Формирование свободных сверхтонких пленок GaAs и их применение в микромеханике В. Я. Принц, В. А. Селезнев

    by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    171.
    Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip A. Butler, P. Butler, S. Bell [et.al.]

    by Butler, A | Bell, Steven J | Chelkov, G. A | Dedovich, D. V | Demichev, M. A | Elkin, V. G | Gostkin, M. I | Kotov, S. A | Kozhevnikov, D. A | Kruchonak, U. G | Butler, P | Nozdrin, A. A | Porokhovoy, S. Yu | Potrap, I. N | Smolyanskiy, P. I | Zakhvatkin, M. M | Zhemchugov, A. S | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physics of particles and nuclei lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    172.
    Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    173.
    Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко

    by Антонов, В. В | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    174.
    Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов и др.

    by Антонов, В. В | Войцеховский, Александр Васильевич | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Фукс, Г. М | Хлудков, Станислав Степанович | Малисова, Е. В | Мельченко, Э. Н | Никифорова, М. П | Попова, Е. А.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    175.
    Влияние электрон-фононного взаимодействия на фотоэмиссионные характеристики арсенида галлия В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев, В.П. Киселев, В.В. Конев

    by Конев, Виктор Васильевич | Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Гриняев, Сергей Николаевич | Киселев, Владимир Петрович физик.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    176.
    Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Вишникина, Вера Валерьевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    177.
    Развитие физико-технологических основ создания полупроводниковых приборов А. П. Вяткин, А. А. Вилисов

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Вилисов, Анатолий Александрович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    178.
    Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев, А. Н. Зарубин, О. П. Толбанов

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: The influence of surface treatment methods on the current-voltage characteristics of gallium arsenide X-ray sensors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    179.
    Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    180.
    Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.]

    by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Fiederle, M | Baumbach, T | Koenig, T.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    181.
    Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова и др.

    by Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    182.
    Модификации амплитудных спектров в детекторных структурах из арсенида галлия М. А. Лелеков, Д. Г. Прокопьев, А. Н. Дучко

    by Лелеков, Михаил Александрович | Прокопьев, Дмитрий Геннадьевич | Дучко, Андрей Николаевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    183.
    Влияние водорода на электрические характеристики контактов Pd-GaAs А. А. Димеев, М. О. Дученко

    by Димеев, А. А | Дученко, Мария Олеговна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    184.
    Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия О. В. Литвинюк, В. Л. Костенко, Л. Б. Дмитриева

    by Литвинюк, О. В | Костенко, В. Л | Дмитриева, Л. Б.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    185.
    Диффузное легирование GaAs примесью хлора С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев

    by Хлудков, Станислав Степанович | Корецкая, Ольга Борисовна | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    186.
    Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    187.
    Антиструктурные дефекты и прыжковая проводимость в GaAs при высоких температурах О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    188.
    Statistical regularities of the dislocation structure formation in GaAs crystals grown by the LEC method V. A. Antonov, N. V. Goncharova, G. F. Kamenskaya [et.al.]

    by Antonov, V. A | Goncharova, N. V | Kamenskaya, G. F.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    189.
    Выращивание монокристаллов арсенида галлия методом вертикальной направленной кристаллизации А. В. Марков, Б. Н. Шаронов, А. Я. Поляков [и др.]

    by Марков, Александр Владимирович физик | Шаронов, Б. Н | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Николай Борисович | Говорков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    190.
    Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда Д. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.]

    by Гуляев, Дмитрий Владимирович | Гилинский, Александр Михайлович | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович | Журавлев, Константин Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    191.
    Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    192.
    Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m Л. Н. Бычкова, С. Н. Гриняев, В. Г.Тютерев

    by Никитина, Лариса Николаевна | Гриняев, Сергей Николаевич | Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    193.
    Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B В. А. Рогозин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач [и др.]

    by Рогозин, В. А | Васильевский, Иван Сергеевич | Деркач, А. В | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Галиев, Г. Б | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Гурин, Петр Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    194.
    Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии А. В. Васев, С. И. Чикичев

    by Васев, Андрей Васильевич | Чикичев, Сергей Ильич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    195.
    Физические основы работы лавинного S-диода И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    196.
    Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами И. Д. Щербаков, А. Н. Зарубин, М. С. Скакунов [и др.]

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    197.
    Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов GaAs/lr/Ni в условиях химической пассивации границ полупроводника и электрохимического осаждения металлов Л. В. Фомина, С. В. Лебеденко, С. А. Безносюк

    by Фомина, Лариса Валерьевна | Лебеденко, С. В | Безносюк, Сергей Александрович, 1953-.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    198.
    Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников С.С. Хлудков, В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, Г.М. Фукс

    by Хлудков, Станислав Степанович | Войцеховский, Александр Васильевич | Антонов, В. В | Фукс, Г. М.

    Source: Материалы научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты Томской области в 9-й пятилетке". Секция физики твердого телаMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    199.
    200.
    Исследование диффузии хрома в арсениде галлия в потоке водорода И. А. Прудаев, М. В. Ардышев

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Ардышев, Михаил Вячеславович.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :