|
101.
|
|
|
102.
|
|
|
103.
|
Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies A. Y. Bonchyk, I. A. Mohylyak, H. V. Savytskyy [et.al.] by Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Fitsych, Olena I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Izhnin, Igor I | Mohylyak, I. A. Source: XV International conference on physics and technology of thin films and nanosystems, Ivanо-Frankivsk, May, 11-16, 2015 : book of abstractsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
104.
|
Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe V. A. Novikov, D. V. Grigoryev, D. A. Bezrodnyy [et.al.] by Novikov, Vadim A | Bezrodnyy, Dmitriy A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Grigoryev, Denis V. Source: 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Paris, 13-18 September 2015 : conference bookMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
105.
|
|
|
106.
|
|
|
107.
|
Light emission from CdHgTe–based nanostructures K. D. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov [et.al.] by Mynbaev, Karim D | Bazhenov, N. L | Izhnin, A. I | Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Mikhailov, Nikolay N | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Shilyaev, A. V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Materials physics and mechanicsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
108.
|
|
|
109.
|
|
|
110.
|
|
|
111.
|
|
|
112.
|
Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.] by Grigoryev, Denis V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Atomic and Molecular Pulsed Lasers : 12 International Conference, September 14-18, 2015, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
113.
|
Background donor concentration in HgCdTe I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.] by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A | Mynbaev, Karim D | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
114.
|
Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Нано- и микросистемная техникаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
115.
|
|
|
116.
|
|
|
117.
|
Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
118.
|
Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др. by Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Фицич, Елена Ивановна | Бончик, Александр Юрьевич | Савицкий, Григорий Владимирович | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Войцеховский, Александр Васильевич | Якушев, Максим Витальевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г.Material type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
119.
|
Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
120.
|
|
|
121.
|
Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов и др. by Мынбаев, Карим Джафарович | Баженов, Николай Леонидович | Ижнин, Александр Иванович | Ижнин, Игорь Иванович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Шиляев, Артур Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
122.
|
Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
123.
|
Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
124.
|
|
|
125.
|
Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|