TY  - SER
AU  - Рябищенкова,Анастасия Геннадьевна
AU  - Кузнецов,Владимир Михайлович
TI  - Адсорбция и диффузия атомов 1, 2 и 13-й групп на поверхности теллурида сурьмы
KW  - топологические изоляторы
KW  - метод функционала электронной плотности
KW  - адсорбция
KW  - диффузия
KW  - перенос заряда
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 15 назв; Ограниченный доступ
N2  - Представлены результаты первопринципных расчетов адсорбции и диффузии адатомов 1, 2 и 13-й групп на (0001)-поверхности топологического изолятора Sb2Te3. Показано, что большинство исследованных атомов имеют минимум энергии в ГЦК-позиции. Исключения составляют бериллий, бор, индий и таллий, для которых наиболее выгодными являются узлы с ГПУ-симметрией. Диффузия адатомов по поверхности (0001) Sb2Te3 происходит по двухступенчатому механизму, при котором сначала осуществляется перескок из ГЦК- в ГПУ-позиции, а затем из ГПУ в ГЦК. Для атомов бериллия, бора, индия и таллия порядок прыжков сдвинут, поскольку для них наиболее выгодной с энергетической точки зрения является ГПУ-позиция. Найдены величины барьеров для
прыжков по поверхности и характеристические частоты, на базе которых аналитически рассчитаны диффузионные длины. Определены температуры активации диффузии, при которых атом преодолевает одно межатомное расстояние (2.5 Å) за минуту. Показано, что самая высокая температура активации (165 К) соответствует бериллию, а самая низкая (39 К) – цезию
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000656944
ER  -