TY  - SER
AU  - Дзядух,Станислав Михайлович
AU  - Несмелов,Сергей Николаевич
AU  - Сидоров,Георгий Юрьевич
AU  - Варавин,Василий Семенович
AU  - Васильев,Владимир Васильевич
AU  - Дворецкий,Сергей Алексеевич
AU  - Михайлов,Николай Николаевич
AU  - Якушев,Максим Витальевич
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
TI  - Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
KW  - МДП-структуры
KW  - электрофизические исследования
KW  - адмиттанс
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - двухслойные диэлектрики
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 15 назв; Доступ в сети ТГУ
N2  - Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n -HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n -HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al2O3 появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al2O3. Для МДП-структур на основе p -HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626213
ER  -