TY  - SER
AU  - Засухин,Дмитрий Иннокентьевич
AU  - Каримбаев,Дамир Джамаллитдинович
AU  - Коханенко,Андрей Павлович
ED  - Томский государственный университет
ED  - Томский государственный университет
TI  - Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
KW  - шероховатость поверхности
KW  - химическое травление
KW  - нитрид галлия
KW  - морфология поверхности
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 7 назв
N2  - Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в смешанном растворе гидроксида калия KOH и пероксодисульфата калия K2S2O8 для формирования морфологии на поверхности n-GaN, после лазерного отделения сапфировой подложки. В результате на поверхности формируются конусы размером 1–1.5 мкм. Определена зависимость морфологии поверхности от концентрации раствора и времени травления
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535799
ER  -