TY  - BOOK
AU  - Верхолетов,Максим Георгиевич
AU  - Прудаев,Илья Анатольевич
ED  - Томский государственный университет.
TI  - Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
PY  - 2022///
CY  - Томск
PB  - [б. и.]
KW  - nsnr
KW  - Физика полупроводников
KW  - диссертации
KW  - физика полупроводников
KW  - диоды
KW  - арсенид галлия
KW  - перенос носителей заряда в арсениде галлия
KW  - донорные центры глубокие арсенида галлия
KW  - акцепторные центры глубокие арсенида галлия
KW  - пробой лавинный
KW  - S-диоды лавинные
KW  - транзисторы биполярные лавинные
KW  - фотоэлектрические ключи HG PCSS
KW  - обострители арсенид-галлиевые
KW  - арсенид-галлиевые структуры, переключения сверхбыстрые
KW  - арсенид-галлиевые структуры, методика исследования
KW  - Synopsys TCAD, пакет программ автоматизированного проектирования
KW  - арсенид-галлиевые структуры, легирование
KW  - хром, акцепторная примесь глубокая
KW  - железо, акцепторная примесь глубокая
KW  - EL2-центры глубокие донорные
KW  - электронно-дырочные переходы
N1  - Библиогр.: л. 107-119
ER  -