TY  - SER
AU  - Хлудков,Станислав Степанович
AU  - Прудаев,Илья Анатольевич
AU  - Толбанов,Олег Петрович
AU  - Ивонин,Иван Варфоломеевич
TI  - Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
KW  - арсенид галлия
KW  - нанокластеры
KW  - магнитные полупроводники
KW  - Кюри температура
KW  - экспериментальные исследования
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 90 назв; Ограниченный доступ
N2  - Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997660
ER  -