TY  - SER
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
AU  - Несмелов,Сергей Николаевич
AU  - Дзядух,Станислав Михайлович
AU  - Варавин,Василий Семенович
AU  - Дворецкий,Сергей Алексеевич
AU  - Михайлов,Николай Николаевич
AU  - Сидоров,Георгий Юрьевич
AU  - Якушев,Максим Витальевич
AU  - Марин,Денис Викторович
TI  - Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
KW  - варизонные пленки
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - ионная имплантация
KW  - МДП-структуры
KW  - адмиттанс
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 15 назв
N2  - Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314
ER  -