Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов / Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев, Ф. В. Вьюганов [и др.] // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 315-317