Ардышев М. В. Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин // Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции. Томск, 2002. С. 253-255