Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.] // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП. Томск, 1999. С. 101-102