TY  - SER
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
AU  - Несмелов,Сергей Николаевич
AU  - Дзядух,Станислав Михайлович
AU  - Дворецкий,Сергей Алексеевич
AU  - Михайлов,Николай Николаевич
AU  - Сидоров,Георгий Юрьевич
AU  - Якушев,Максим Витальевич
TI  - Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe
KW  - инфракрасные детекторы
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - темновой ток
KW  - вольт-амперная характеристика
KW  - диффузионное ограничение
KW  - nBn-структура
KW  - HgCdTe
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 30 назв; Ограниченный доступ
N2  - Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур проводилась путем формирования пленок Al2O3 методом плазменного атомно-слоевого осаждения. Показано, что при составе в барьерном слое, равном 0,84, в nBn-структурах доминирует объемная компонента темнового тока. Энергия активации тока близка к ширине запрещенной зоны поглощающего слоя. Сопоставление экспериментальных результатов с эмпирической моделью Rule07 показало, что в диапазоне температур 180–300 К в изготовленных структурах реализуется диффузионное ограничение темнового тока. Из проведенных исследований следует, что молекулярно-лучевая эпитаксия HgCdTe на альтернативных подложках является перспективным способом создания униполярных барьерных детекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565142
ER  -