Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами / С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. - 256 с.: ил., табл.. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000551993