TY  - SER
AU  - Несмелов,Сергей Николаевич
AU  - Дзядух,Станислав Михайлович
AU  - Варавин,Василий Семенович
AU  - Дворецкий,Сергей Алексеевич
AU  - Михайлов,Николай Николаевич
AU  - Якушев,Максим Витальевич
AU  - Сидоров,Георгий Юрьевич
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
TI  - Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)
KW  - теллурид кадмия-ртути
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - МДП-структуры
KW  - варизонные слои
KW  - адмиттанс
KW  - вольт-фарадные характеристики
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 11 назв
N2  - В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без такого слоя, причем при использовании в качестве диэлектрика Al2O3 и CdTe/Al2O3. Показано, что вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg0,70Cd0,30Te без варизонного слоя при 77 К имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки быстрых поверхностных состояний. Это позволяет определять концентрацию дырок по значению емкости в минимуме низкочастотной ВФХ при 77 К (в отличие от случая x = 0,21-0,23). Установлено, что для МДП-структуры на основе p-HgCdTe с варизонным слоем значения дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии в 10-100 раз больше, чем для МДП-структуры на основе p-HgCdTe без такого слоя
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000723485
ER  -