Компьютерное моделирование границ раздела полупроводник AIIIBV/собственный оксид с низкой плотностью интерфейсных состояний / А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева // Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 19-23 сентября 2016 г., Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2016. С. 289-290. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000722996