TY  - BOOK
AU  - Филонов,Николай Григорьевич
AU  - Ивонин,Иван Варфоломеевич
ED  - Томский государственный университет.
ED  - Томский государственный педагогический университет.
TI  - Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: [монография]
SN  - 9785946217576
PY  - 2018///
CY  - Томск
PB  - Издательский Дом Томского государственного университета
KW  - Шоттки барьер
KW  - арсенида галлия структуры
KW  - межфазные взаимодействия
KW  - контактные структуры
KW  - тугоплавкие металлы
KW  - покрытия многослойные
KW  - металлизация
KW  - контакты выпрямляющие
KW  - бориды
KW  - диодные структуры
KW  - диоды с барьером Шоттки
KW  - электрические характеристики
KW  - вольтамперные характеристики
KW  - дефектообразование
KW  - электронное облучение
KW  - токи избыточные
KW  - тензоэлектрические явления
KW  - тензочувствительность диодов
KW  - датчики неэлектрических величин
KW  - электронные устройства
KW  - датчики с барьером Шоттки, использование
N1  - Библиогр.: с. 318-343
N2  - В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности и стабильности электрических характеристик диодов, выяснения механизмов деградации электрических параметров. Интерес к этим исследованиям не ослабевает до настоящего времени, о чем свидетельствует большое число публикаций. Однако большинство экспериментальных и теоретических работ ведется в узком секторе физических явлений. Отсутствие комплексных исследований не позволяет воспринимать картину происходящих физических процессов в структурах с барьером Шоттки в целом, особенно при различных внешних воздействиях. В работе на основе полученных оригинальных результатов определены пути повышения стабильности электрических характеристик структур, а также установлена возможность их использования в качестве чувствительных элементов датчиков различных неэлектрических величин (температуры, давления).
Для широкого круга специалистов – научных сотрудников и инженеров, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики полупроводниковых структур
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762
ER  -