TY  - GEN
AU  - Лозовой,Кирилл Александрович
AU  - Коханенко,Андрей Павлович
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
TI  - Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
KW  - квантовые точки
KW  - кремний
KW  - германий
KW  - олово
KW  - наногетероструктуры
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - Странского-Крастанова переход
KW  - критическая толщина
KW  - статьи в сборниках
N1  - Библиогр.: 18 назв
N2  - В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в этой системе предлагается теоретическая модель, основанная на общей теории нуклеации островков, учитывающая зависимости модуля упругости, рассогласования решеток и удельной поверхностной энергии боковых граней от состава х, а также изменение коэффициента диффузии адатомов в присутствии олова
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000627424
ER  -